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基礎(chǔ)信息Product information

產(chǎn)品名稱：美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY萬用表

產(chǎn)品型號(hào)：2100

更新時(shí)間：2024-08-16

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY萬用表2000，2001,2002,2010，2100,2110中國(guó)電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅(jiān)融實(shí)業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供專業(yè)的解決方案，測(cè)試測(cè)量技術(shù)改進(jìn)、技術(shù)培訓(xùn)、采購管理、售后維修服務(wù)。

產(chǎn)品特性Product characteristics

中國(guó)電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅(jiān)融實(shí)業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供專業(yè)的解決方案，測(cè)試測(cè)量技術(shù)改進(jìn)、技術(shù)培訓(xùn)、采購管理、售后維修服務(wù)。

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY萬用表2000，2001,2002,2010，2100,2110應(yīng)用領(lǐng)域：
 離散和無源元件 
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動(dòng)器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號(hào)雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）等等 
 簡(jiǎn)單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)、傳感器
 集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC 
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
 光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器
 圓片級(jí)可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
 太陽能電池
 電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測(cè)器
電路保護(hù)器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開關(guān)、繼電器
碳納米管
半導(dǎo)體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機(jī)電子
基本運(yùn)放電路
二極管和電路
晶體管電路

測(cè)試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測(cè)試
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐受性

雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)
太陽能電池和 LED 設(shè)計(jì)
高電子遷移率晶體管設(shè)計(jì)
復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)

分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件
碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)
測(cè)量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測(cè)量
在低功率和低壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測(cè)量
納米級(jí)器件和材料的電氣測(cè)量
提高超高電阻和電阻率測(cè)量的可重復(fù)性
一種微分電導(dǎo)的改進(jìn)測(cè)量方法
納米技術(shù)準(zhǔn)確電氣測(cè)量的技術(shù)
納米級(jí)材料的電氣測(cè)量
降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)
迎接65nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)量挑戰(zhàn)
測(cè)量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測(cè)量電流
柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析
評(píng)估氧化層的可靠性

的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和試驗(yàn)低電阻、低功耗半導(dǎo)體器
輸出極低電流和測(cè)量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻
低阻測(cè)量(低至10nΩ)分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。
用于*進(jìn)CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測(cè)試
高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線歐姆測(cè)量技術(shù)進(jìn)行更高準(zhǔn)確度的電阻測(cè)量
配置分立電阻器驗(yàn)證測(cè)試系統(tǒng)
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測(cè)試
多臺(tái)數(shù)字源表的觸發(fā)器同步
高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測(cè)試
OLED顯示器的直流生產(chǎn)測(cè)試
在運(yùn)行中第5次測(cè)量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析
數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個(gè)緩沖器獲取多達(dá)5000點(diǎn)數(shù)據(jù)
連接器的生產(chǎn)測(cè)試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

1. MOS 電容器
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層

寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。
I-V 曲線分析：
電荷建立 (測(cè)量電壓 - 時(shí)間圖，用低電流源)； 氧化層電容測(cè)定； 與 C-V 曲線

比較。
C-V 曲線 (準(zhǔn)靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲線：
表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si (100) 的表面態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 

Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
移動(dòng)氧化層電荷密度 (偏壓溫度應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V)
 
2. 雙極結(jié)型晶體管
     主題
   正向共發(fā)射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量。
   正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對(duì)于幾個(gè) Vce 正值。
   正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
   非理想特性：爾利電壓。
   反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對(duì)于幾個(gè)Vce負(fù)值。
   反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對(duì)于給定的 Ib 電流。
   Ebers Moll 模型構(gòu)建并且與實(shí)驗(yàn)做比較。
   BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析?；鶇^(qū)摻雜濃縮。
 
3. 亞微米集成 MOSFET
輸出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強(qiáng)或耗盡)，溝道長(zhǎng)度調(diào)制參數(shù)(λ) 在飽和區(qū)域 (VDS<–3V) 有效

溝道長(zhǎng)度與 VDS 的關(guān)系。
傳輸特性：
襯底偏壓特性： 
亞閾值特性：
襯底電流特性：
使用長(zhǎng)溝道和短溝道公式的輸出特性模型：比較實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

吉時(shí)利高性能DMM系列的產(chǎn)品。它的高精度（38ppm）和六位半的分辨率特性，使之成為通用測(cè)量的理想選擇。

    美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2100具有11種測(cè)量功能和8種數(shù)學(xué)計(jì)算功能，能夠輕松實(shí)現(xiàn)zui常用參數(shù)的測(cè)量。憑借其精度高、成本低的綜合優(yōu)勢(shì)，非常適合于研發(fā)工程師、測(cè)試工程師、科研人員以及學(xué)生在試驗(yàn)臺(tái)或系統(tǒng)應(yīng)用中進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)量。
 
keithley2100美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY萬用表特點(diǎn)
用于通用測(cè)量需求的高精度六位半數(shù)字萬用表，價(jià)格僅相當(dāng)于五位半的同類產(chǎn)品
11種測(cè)量功能，涵蓋zui常用的測(cè)量參數(shù)
所有測(cè)試功能的精度滿足ISO的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)
USB 2.0接口兼容TMC，支持SCPI測(cè)試命令
隨機(jī)配置 KI-Tool軟件和Microsoft Word和Excel中的嵌入式軟件工具
結(jié)實(shí)耐用的結(jié)構(gòu)可適用于試驗(yàn)臺(tái)與便攜式應(yīng)用
前、后面板輸入可選，便于試驗(yàn)臺(tái)或機(jī)架式應(yīng)用
包括啟動(dòng)軟件、USB連接線、電源線、安全測(cè)試探頭在內(nèi)的全套附件，zui大限度地為用戶節(jié)約成本
兼容CE 

keithley2100主要指標(biāo)
 

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2100六位半U(xiǎn)SB數(shù)字多用表可選配件

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY4299-3型單機(jī)通用機(jī)架安裝套件

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY4299-4型雙機(jī)通用機(jī)架安裝套件

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY8605型高性能模塊化測(cè)試線，長(zhǎng)度為0.9米（3 ft），（適用于美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2000、2001、2002、2010、2400系列）

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY8606型高性能模塊化探頭套件（適用于美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2000、2001、2002、2010、2400系列）

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY5808型低成本單探針，Kelvin探頭

系列產(chǎn)品

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2000型六位半數(shù)字多用表

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2001型高性能七位半數(shù)字多用表，帶8k存儲(chǔ)器

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2002型高性能八位半數(shù)字多用表，帶8k存儲(chǔ)器

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2010型七位半低噪聲自動(dòng)變量程數(shù)字多用表