產(chǎn)品名稱:氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測量IsoVu光隔離
產(chǎn)品型號(hào):TIVH02L
更新時(shí)間:2024-08-19
產(chǎn)品簡介:
氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測量IsoVu光隔離中國臺(tái)灣孕龍ZEROPLUS一級(jí)代理商美國DESCO一級(jí)代理商德國科納沃茨特KLEINWACHTER一級(jí)代理商日本愛斯佩克ESPEC一級(jí)代理商美國是德KEYSIGHT(原安捷倫Agilent電子事業(yè)部)特約經(jīng)銷商美國吉時(shí)利KEITHLEY特約經(jīng)銷商
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代理經(jīng)銷品牌:
中國臺(tái)灣孕龍ZEROPLUS一級(jí)代理商
美國DESCO一級(jí)代理商
德國科納沃茨特KLEINWACHTER一級(jí)代理商
日本愛斯佩克ESPEC一級(jí)代理商
美國是德KEYSIGHT(原安捷倫Agilent電子事業(yè)部)特約經(jīng)銷商
美國吉時(shí)利KEITHLEY特約經(jīng)銷商
氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測量IsoVu光隔離探頭TIVH02L
IsoVu ® 探頭具有業(yè)內(nèi)*的 1 GHz 帶寬、160 dB 或 100,000,000:1 的共模抑制比、60 kV 共模電壓、± 2500 V 大差分范圍和探頭負(fù)載,是適合解決當(dāng)今嚴(yán)苛功率測量挑戰(zhàn)的工具。
氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測量可能耗時(shí)較長且在某些情況下不可能實(shí)現(xiàn)。了解 Panasonic 等公司如何改用 IsoVu 來縮短上市時(shí)間。
氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測量IsoVu光隔離探頭TIVH02L優(yōu)化性能和效率
功率設(shè)計(jì)的優(yōu)勢只有在開關(guān)電路、門極驅(qū)動(dòng)電路及布局都正確設(shè)計(jì)和優(yōu)化時(shí)才能實(shí)現(xiàn)。IsoVu 可用于:
檢定門驅(qū)動(dòng)器、Vgs、Vds 和 Is
檢定高壓側(cè)和低壓側(cè)事件的時(shí)間對(duì)準(zhǔn)
優(yōu)化和調(diào)整開關(guān)特點(diǎn)
氮化鎵GaN,碳化硅SiC功率損耗測量IsoVu光隔離探頭TIVH02L
型號(hào) 帶寬 差分電壓 共模電壓 共模抑制比 光纖電纜長度
TIVH02
200 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB
100 MHz:100 dB
200 MHz:100 dB 3 米
TIVH02L
200 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB
100 MHz:100 dB
200 MHz:100 dB 10 米
TIVH05
500 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB
100 MHz:100 dB
500 MHz:80 dB 3 米
TIVH05L
500 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB
100 MHz:100 dB
500 MHz:80 dB 10 米
TIVM1
1 GHz ±50 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB
100 MHz:120 dB
1 GHz:80 dB 3 米
TIVH08
800 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB
100 MHz:100 dB
800 MHz:75 dB 3 米
TIVM1L
1 GHz ±50 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB
100 MHz:120 dB
1 GHz:80 dB 10 米
TIVH08L
800 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB
100 MHz:100 dB
800 MHz:75 dB 10 米